Аннотация на русском языке: В этой работе рассмотрены возможные способы динамического смещения заднего затвора в технологии FinFET с независимым затвором. Показаны возможные режимы работы инвертора, а также способы подачи сигнала на задний затвор. Произведена характеризация и численное сравнение результатов для каждого типа ячейки. Сравнительные результаты показывают, что организованное правильным образом динамическое смещение заднего затвора позволяет сократить мощность утечек и в тоже время сохранить высокое быстродействие.

The summary in English: In this paper the possible realizations of IG-FinFET back-gate dynamic biasing are considered. Possible operating modes of Independent-Gate simple inverter cell are shown as well as ways of applying signal to back-gates. Characterization of each type of cell and numerical comparison of results is done. Comparison results show that proper dynamic biasing of back gates can reduce leakage power and save high performance at the same time.

Ключевые слова: FinFET, независимый затвор, стандартная ячейка, динамическое смещение, задний затвор, инвертор.
Key words: FinFET, Independent Gate, standard cell, Dynamic biasing, back-gate, inverter.